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硫酸塩パルプ(クラフトパルプ)又は亜硫酸パルプ(サルファイトパルプ)の製造の用に供する塩素又は塩素化合物による漂白施設 |
| 2 |
カーバイド法アセチレンの製造の用に供するアセチレン洗浄施設 |
| 3 |
硫酸カリウムの製造の用に供する施設のうち、廃ガス洗浄施設 |
| 4 |
アルミナ繊維の製造の用に供する施設のうち、廃ガス洗浄施設 |
| 5 |
担体付き触媒の製造（塩素又は塩素化合物を使用するものに限る。）の用に供する焼成炉から発生するガスを処理する施設のうち、廃ガス洗浄施設 |
| 6 |
塩化ビニルモノマーの製造の用に供する二塩化エチレン洗浄施設 |
| 7 |
カプロラクタムの製造（塩化ニトロシルを使用するものに限る。）の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）硫酸濃縮施設
（ロ）シクロヘキサン分離施設
（ハ）廃ガス洗浄施設
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| 8 |
クロロベンゼン又はジクロロベンゼンの製造の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）水洗施設
（ロ）廃ガス洗浄施設
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| 9 |
4-クロロフタル酸水素ナトリウムの製造の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）ろ過施設
（ロ）乾燥施設
（ハ）廃ガス洗浄施設 |
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2,3-ジクロロ-1,4-ナフトキノンの製造の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）ろ過施設
（ロ）廃ガス洗浄施設 |
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8,18-ジクロロ-5,15-ジエチル-5,15-ジヒドロジインドロ(3,2-b:3',2'-m)トリフェノジオキサジン(別名ジオキサジンバイオレット。ハにおいて単に「ジオキサジンバイオレット」という。）製造の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）ニトロ化誘導体分離施設及び還元誘導体分離施設
（ロ）ニトロ化誘導体洗浄施設及び還元誘導体洗浄施設
（ハ）ジオキサジンバイオレット洗浄施設
（ニ）熱風乾燥施設
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| 12 |
アルミニウム又はその合金の製造の用に供する焙焼炉、溶解炉又は乾燥炉から発生するガスを処理する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）廃ガス洗浄施設
（ロ）湿式集じん施設
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| 13 |
亜鉛の回収（製鋼の用に供する電気炉から発生するばいじんであって、集じん機により集められたものからの亜鉛の回収に限る。）の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）精製施設
（ロ）廃ガス洗浄施設
（ハ）湿式集じん施設
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| 14 |
担体付き触媒（使用済みのものに限る。）からの金属の回収（ソーダ灰を添加して焙焼炉で処理する方法及びアルカリにより抽出する方法（焙焼炉で処理しないものに限る。）によるものを除く。）の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）ろ過施設
（ロ）精製施設
（ハ）廃ガス洗浄施設
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| 15 |
別表第1第５号（※1）に掲げる廃棄物焼却炉から発生するガスを処理する施設のうち次に掲げるもの及び当該廃棄物焼却炉において生ずる灰の貯留施設であって汚水又は廃液を排出するもの
（イ）廃ガス洗浄施設
（ロ）湿式集じん施設
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| 16 |
廃棄物の処理及び清掃に関する法律施行令（昭和46年政令第300号）第７条第12号の２及び第13号に掲げる施設（廃PCB等又はPCB処理物の分解施設、PCB汚染物又はPCB処理物の洗浄施設又は分離施設) |
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フロン類（特定物質の規制等によるオゾン層の保護に関する法律施行令（平成６年政令第308号）別表１の項、３の項及び６の項に掲げる特定物質をいう。）の破壊（プラズマを用いて破壊する方法によるものに限る。）の用に供する施設のうち、次に掲げるもの
（イ）プラズマ反応施設
（ロ）廃ガス洗浄施設
（ハ）湿式集じん施設
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下水道終末処理施設（第１号から前号まで及び次号に掲げる施設に係る汚水又は廃液を含む下水を処理するものに限る。） |
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第１号から第17号までに掲げる施設を設置する工場又は事業場から排出される水（第１号から第17号までに掲げる施設に係る汚水若しくは廃液又は当該汚水若しくは廃液を処理したものを含むものに限り、公共用水域に排出されるものを除く。）の処理施設（前号に掲げるものを除く。） |
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